Huawei m3 vs m5 lite

Huawei m3 vs m5

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Diode CMS, 12A, 30V, VS-12CWQ03FN-M3, Cathode commune Type de boîtier : DPAK (TO-252) Technologie de diode : Schottky courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 320A, Vishay

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Pas compatible avec Huawei MediaPad T5 Lite

Vishay Diode CMS, 8A, 1200V, (5), VS-8EWS12S-M3

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Diode CMS, 8A, 1200V, VS-8EWS12S-M3 Configuration de diode : Simple Type de redressement : Haute tension Type de boîtier : D-PAK (TO-252AA) Technologie de diode : Schottky Nombre de broche : 3 + Tab Chute minimale de tension directe : 1.1V Longueur : 6.73mm Largeur : 6.22mm Hauteur : 2.38mm Dimensions : 6.73

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Vishay Diode CMS, 1.5A, 60V, (7500), VS-10MQ060-M3/5AT

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Diode CMS, 1.5A, 60V, VS-10MQ060-M3/5AT Configuration de diode : Simple Type de boîtier : DO-214AC Technologie de diode : Schottky courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 40A, Vishay

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Housse avec clavier Bluetooth pour Huawei MediaPad M5 Lite 10

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Vishay Diode CMS, 5.5A, 40V, (75), VS-50WQ04FN-M3

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Diode CMS, 5.5A, 40V, VS-50WQ04FN-M3 Configuration de diode : Simple Nombre d'éléments par circuit : 1 Type de boîtier : DPAK (TO-252) Technologie de diode : Schottky Chute minimale de tension directe : 440mV courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 550A, Vishay

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Vishay Diode CMS, 1.5A, 60V, (10), VS-10MQ060-M3/5AT

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Diode CMS, 1.5A, 60V, VS-10MQ060-M3/5AT Configuration de diode : Simple Type de boîtier : DO-214AC Technologie de diode : Schottky courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 40A, Vishay

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Vishay Diode CMS, 15A, 600V, , 87ns (5), VS-ETU1506S-M3

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Diode CMS, 15A, 600V, VS-ETU1506S-M3, 87ns Configuration de diode : Simple Type de boîtier : D2PAK (TO-263) Technologie de diode : Jonction au silicium Chute minimale de tension directe : 1.9V courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 160A, Vishay

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Diode traversante, 8A, 600V, VS-ETX0806FP-M3, 24ns Configuration de diode : Simple Nombre d'éléments par circuit : 1 Type de redressement : Commutation Type de boîtier : TO-220F Technologie de diode : Jonction au silicium Chute minimale de tension directe : 3V courant direct de surcharge non-répétitif de

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Vishay Diode CMS, 5A, 600V, , 70ns (5), VS-5EWL06FNTR-M3

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Diode CMS, 5A, 600V, VS-5EWL06FNTR-M3, 70ns Configuration de diode : Simple Nombre d'éléments par circuit : 1 Type de boîtier : DPAK (TO-252) Technologie de diode : Jonction au silicium Chute minimale de tension directe : 1.2V courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 80A, Vishay

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Vishay Diode CMS, 8A, 800V, (5), VS-8EWS08STR-M3

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Diode CMS, 8A, 800V, VS-8EWS08STR-M3 Configuration de diode : Simple Nombre d'éléments par circuit : 1 Type de redressement : Commutation Type de boîtier : DPAK (TO-252) Technologie de diode : Jonction au silicium Chute minimale de tension directe : 1.1V courant direct de surcharge non-répétitif de crête :

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Vishay Condensateur céramique monocouche (SLCC), Traversant, 3.3nF, 300V c.a., diélectrique : Y5V (25), VY2332M35Y5VS63V7

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Vishay Diode CMS, 1.5A, 100V, (7500), VS-10MQ100-M3/5AT

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Diode CMS, 1.5A, 100V, VS-10MQ100-M3/5AT Configuration de diode : Simple Type de boîtier : DO-214AC (SMA) Technologie de diode : Schottky Chute minimale de tension directe : 850mV courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 120A, Vishay

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Vishay Diode CMS, 5.5A, 40V, (10), VS-50WQ04FN-M3

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Diode CMS, 5.5A, 40V, VS-50WQ04FN-M3 Configuration de diode : Simple Nombre d'éléments par circuit : 1 Type de boîtier : DPAK (TO-252) Technologie de diode : Schottky Chute minimale de tension directe : 440mV courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 550A, Vishay

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Vishay Diode traversante, 15A, 600V, , 45ns (5), VS-ETX1506FP-M3

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Diode traversante, 15A, 600V, VS-ETX1506FP-M3, 45ns Configuration de diode : Simple Type de redressement : Recouvrement rapide Type de boîtier : TO-220FP Technologie de diode : Jonction au silicium Chute minimale de tension directe : 3.4V courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 120A, Vishay

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Phoenix Contact série HV M5/1-VS 3, 3049440

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série HV M5/1-VS 3, Phoenix Contact, MPN: 3049440

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Vishay Diode traversante, 15A, 600V, , 87ns (5), VS-ETU1506FP-M3

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Diode traversante, 15A, 600V, VS-ETU1506FP-M3, 87ns Configuration de diode : Simple Type de boîtier : TO-220FP Technologie de diode : Jonction au silicium Chute minimale de tension directe : 1.9V courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 160A, Vishay

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Vishay Diode CMS, 1.5A, 100V, (10), VS-10MQ100-M3/5AT

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Diode CMS, 1.5A, 100V, VS-10MQ100-M3/5AT Configuration de diode : Simple Type de boîtier : DO-214AC (SMA) Technologie de diode : Schottky Chute minimale de tension directe : 850mV courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 120A, Vishay

Universal Smart Super Hero Cartoon Case Cover Pour Huawei MediaPad 7" 10" Tablet...

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Vishay Diode CMS, 1A, 15V, (5), VS-10BQ015-M3/5BT

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Diode CMS, 1A, 15V, VS-10BQ015-M3/5BT Configuration de diode : Simple Type de boîtier : DO-214AA (SMB) Technologie de diode : Schottky Chute minimale de tension directe : 440mV courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 140A, Vishay

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Vishay Diode CMS, 1A, 100V, (3200), VS-MBRS1100-M3/5BT

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Diode CMS, 1A, 100V, VS-MBRS1100-M3/5BT Configuration de diode : Simple Type de boîtier : DO-214AA (SMB) Technologie de diode : Schottky courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 870A, Vishay

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Vishay Diode CMS, 1A, 100V, (20), VS-MBRS1100-M3/5BT

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Diode CMS, 1A, 100V, VS-MBRS1100-M3/5BT Configuration de diode : Simple Type de boîtier : DO-214AA (SMB) Technologie de diode : Schottky courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 870A, Vishay

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Vishay Diode de commutation, 5A, 600 (Peak Repetitive)V, TO-252AA, 3 + Tab broches (20), VS-5EWX06FN-M3

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Diode de commutation, 5A, 600 (Peak Repetitive)V, TO-252AA, 3 + Tab broches Configuration de diode : Simple Type de montage : CMS Nombre d'éléments par circuit : 1 Capacitance de diode maximum : 3.5pF Température de fonctionnement minimum : -65 °C Température d'utilisation maximum : +175 °C Longueur : 6.73mm

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Phoenix Contact Insert femelle , série VS-PSC 1.5/3-M PE, 1689336

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Insert femelle Phoenix Contact, série VS-PSC 1.5/3-M PE Profondeur totale : 13.7mm Dimensions : 30.8 x 20.8 x 13.7mm Longueur hors tout : 30.8mm Fonctions spéciales : Embase POWER-SUBCON, MPN: 1689336

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Vishay Diode CMS, 1A, 30V, (10), VS-MBRS130L-M3/5BT

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Diode CMS, 1A, 30V, VS-MBRS130L-M3/5BT Configuration de diode : Simple Type de boîtier : DO-214AA (SMB) Technologie de diode : Schottky courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 230A, Vishay

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Vishay Diode CMS, 7A, 100V, , Cathode commune (5), VS-6CWQ10FN-M3

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Diode CMS, 7A, 100V, VS-6CWQ10FN-M3, Cathode commune Nombre d'éléments par circuit : 2 Type de boîtier : DPAK (TO-252) Technologie de diode : Schottky courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 440A, Vishay

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Vishay Diode CMS, 12A, 60V, , Cathode commune (5), VS-12CWQ06FN-M3

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Diode CMS, 12A, 60V, VS-12CWQ06FN-M3, Cathode commune Type de boîtier : DPAK (TO-252) Technologie de diode : Schottky Chute minimale de tension directe : 570mV courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 320A, Vishay

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Vishay Diode CMS, 12A, 100V, , Cathode commune (5), VS-12CWQ10FNTRR-M3

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Diode CMS, 12A, 100V, VS-12CWQ10FNTRR-M3, Cathode commune Type de boîtier : DPAK (TO-252) Technologie de diode : Schottky courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 330A, Vishay

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Vishay Diode CMS, 3A, 100V, (5), VS-30BQ100-M3/9AT

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Diode CMS, 3A, 100V, VS-30BQ100-M3/9AT Configuration de diode : Simple Type de boîtier : DO-214AB (SMC) Technologie de diode : Schottky Chute minimale de tension directe : 790mV courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 800A, Vishay

Haute Qualité Slim Smart Cover Case Support pour Huawei MediaPad M3 Lite 10 Tabl...

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Phoenix Contact Cordon, , 4 points RJ45 vers RJ45, série VS-IP67B-IP67B-94F/3.0 câble 5m, 1404361

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Cordon, Phoenix Contact, 4 points RJ45 vers RJ45, série VS-IP67B-IP67B-94F/3.0 câble 5m Couleur de gaine : Noir Tension : ≤ 100 V Forme du câble : Multiconducteur Section : 0,34 mm² AWG : 26 AWG Impédance caractéristique : 100 Ω Matériau du conducteur : Cuivre Résistance du conducteur : 290 /km Genre du

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Vishay Diode CMS, 5.5A, 100V, (75), VS-50WQ10FN-M3

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Diode CMS, 5.5A, 100V, VS-50WQ10FN-M3 Configuration de diode : Simple Type de boîtier : DPAK (TO-252) Technologie de diode : Schottky courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 330A, Vishay

Handle PU Leather Smart Folio Cover Case for Huawei MediaPad M2 M3 Lite T2 T3 10

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Vishay Diode CMS, 5A, 600V, , 21ns (2000), VS-5EWX06FNTR-M3

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Diode CMS, 5A, 600V, VS-5EWX06FNTR-M3, 21ns Configuration de diode : Simple Type de boîtier : DPAK (TO-252) Technologie de diode : Jonction au silicium Chute minimale de tension directe : 2.9V courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 50A, Vishay

For Huawei MediaPad T3 M3 M5 T5 Tablet 7 8 10 Inch Silicone Soft TPU Case Cover

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Vishay Diode CMS, 4A, 40V, (5), VS-30BQ040-M3/9AT

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Diode CMS, 4A, 40V, VS-30BQ040-M3/9AT Configuration de diode : Simple Nombre d'éléments par circuit : 1 Type de boîtier : DO-214AB (SMC) Technologie de diode : Schottky courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 2kA, Vishay

Coque de protection pour HUAWEI MediaPad M5 Lite 10.1 poucesj

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Vishay Diode CMS, 5.5A, 60V, (75), VS-50WQ06FN-M3

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Diode CMS, 5.5A, 60V, VS-50WQ06FN-M3 Configuration de diode : Simple Nombre d'éléments par circuit : 1 Type de boîtier : DPAK (TO-252) Technologie de diode : Schottky Chute minimale de tension directe : 570mV courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 320A, Vishay

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Vishay Diode de commutation, 5A, 600 (Peak Repetitive)V, TO-252AA, 3 + Tab broches (20), VS-5EWL06FN-M3

★ ★ ★ ★ ☆ 7,8/10

Diode de commutation, 5A, 600 (Peak Repetitive)V, TO-252AA, 3 + Tab broches Configuration de diode : Simple Type de montage : CMS Nombre d'éléments par circuit : 1 Capacitance de diode maximum : 3.5pF Température de fonctionnement minimum : -65 °C Température d'utilisation maximum : +175 °C Longueur : 6.73mm

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Vishay Diode CMS, 1A, 30V, (25), VS-10BQ030-M3/5BT

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Diode CMS, 1A, 30V, VS-10BQ030-M3/5BT Configuration de diode : Simple Type de boîtier : DO-214AA (SMB) Technologie de diode : Schottky Chute minimale de tension directe : 440mV courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 430A, Vishay

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Vishay Thyristor, , 15mA 6.5A, 800V, TO-220AB, 3 broches 1.15V (50), VS-10TTS08-M3

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Thyristor, VS-10TTS08-M3, 15mA 6.5A, 800V, TO-220AB, 3 broches 1.15V Courant de surcharge : 140A Type de montage : Traversant Tension de déclenchement de Grille maximum : 1V Courant de maintien maximum : 30mA Longueur : 10.66mm Largeur : 4.82mm Hauteur : 9.02mm Dimensions : 10.66 x 4.82 x 9.02mm Température

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Vishay Diode CMS, 5.5A, 100V, (5), VS-50WQ10FN-M3

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Diode CMS, 5.5A, 100V, VS-50WQ10FN-M3 Configuration de diode : Simple Type de boîtier : DPAK (TO-252) Technologie de diode : Schottky courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 330A, Vishay

Huawei MediaPad M5 Lite 10.1" Tablette - 4 Go RAM 64 Go, gris Open Box

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Vishay Diode CMS, 4A, 60V, (5), VS-MBRS360-M3/9AT

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Diode CMS, 4A, 60V, VS-MBRS360-M3/9AT Configuration de diode : Simple Nombre d'éléments par circuit : 1 Type de boîtier : DO-214AB (SMC) Technologie de diode : Schottky courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 790A, Vishay

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Vishay Diode CMS, 12A, 40V, , Cathode commune (5), VS-12CWQ04FN-M3

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Diode CMS, 12A, 40V, VS-12CWQ04FN-M3, Cathode commune Type de boîtier : DPAK (TO-252) Technologie de diode : Schottky courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 550A, Vishay

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Vishay Diode traversante, 10A, 35V, (5), VS-MBR1035-M3

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Diode traversante, 10A, 35V, VS-MBR1035-M3 Configuration de diode : Simple Type de boîtier : TO-220AC Technologie de diode : Schottky courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 150A, Vishay

Vishay Diode CMS, 4A, 15V, (5), VS-30BQ015-M3/9AT

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Diode CMS, 4A, 15V, VS-30BQ015-M3/9AT Configuration de diode : Simple Type de boîtier : DO-214AB (SMC) Technologie de diode : Schottky courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 650A, Vishay

Vishay Diode traversante, 20A, 1200V, , 400ns (5), VS-20ETF12-M3

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Diode traversante, 20A, 1200V, VS-20ETF12-M3, 400ns Configuration de diode : Simple Type de redressement : Recouvrement rapide Type de boîtier : TO-220AC Technologie de diode : Jonction au silicium Chute minimale de tension directe : 1.31V courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 355A, Vishay

Vishay Diode CMS, 3.5A, 30V, (75), VS-30WQ03FN-M3

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Diode CMS, 3.5A, 30V, VS-30WQ03FN-M3 Configuration de diode : Simple Nombre d'éléments par circuit : 1 Type de boîtier : DPAK (TO-252) Technologie de diode : Schottky courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 535A, Vishay

Vishay Diode de commutation, 5A, 600V, TO-252AA, 3 + Tab broches (75), VS-5EWX06FN-M3

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Diode de commutation, 5A, 600V, TO-252AA, 3 + Tab broches Configuration de diode : Simple Type de montage : CMS Nombre d'éléments par circuit : 1 Capacitance de diode maximum : 3.5pF Température de fonctionnement minimum : -65 °C Température d'utilisation maximum : +175 °C Longueur : 6.73mm Largeur : 6.22mm

Vishay Diode traversante, 10A, 1000V, , 310ns (5), VS-10ETF10FP-M3

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Diode traversante, 10A, 1000V, VS-10ETF10FP-M3, 310ns Configuration de diode : Simple Type de redressement : Recouvrement progressif Type de boîtier : TO-220AC Technologie de diode : Jonction au silicium Chute minimale de tension directe : 1.33V courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 160A,

Vishay Condensateur céramique monocouche (SLCC), Traversant, 3.9nF, 300V c.a., diélectrique : Y5V (1000), VY2392M39Y5VS63V7

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Condensateur céramique monocouche (SLCC), Traversant, 3.9nF, 300V c.a., diélectrique : Y5V Série : VY1 Tolérance : ±20% Diamètre : 10mm Profondeur : 5mm Hauteur : 14mm Dimensions : 10 (Dia.) x 5mm Famille du condensateur : Couche unique Facteur de dissipation : 2.5% Température d'utilisation maximum : +125°C

Vishay Diode de commutation, 4A, 600 (Peak Repetitive)V, TO-252AA, 3 + Tab broches (5), VS-HFA04SD60S-M3

★ ★ ★ ★ ☆ 8,1/10

Diode de commutation, 4A, 600 (Peak Repetitive)V, TO-252AA, 3 + Tab broches Configuration de diode : Simple Type de montage : CMS Nombre d'éléments par circuit : 1 Capacitance de diode maximum : 8pF Température de fonctionnement minimum : -55 °C Température d'utilisation maximum : +150 °C Longueur : 6.73mm

Vishay Thyristor, , 15mA 6.5A, 800V, TO-220AB, 3 broches 1.15V, VS-10TTS08-M3

★ ★ ★ ★ ☆ 8,6/10

Thyristor, VS-10TTS08-M3, 15mA 6.5A, 800V, TO-220AB, 3 broches 1.15V Courant de surcharge : 140A Type de montage : Traversant Tension de déclenchement de Grille maximum : 1V Courant de maintien maximum : 30mA Longueur : 10.66mm Largeur : 4.82mm Hauteur : 9.02mm Dimensions : 10.66 x 4.82 x 9.02mm Température

Vishay Diode CMS, 3A, 60V, (5), VS-30BQ060-M3/9AT

★ ★ ★ ★ ☆ 7,9/10

Diode CMS, 3A, 60V, VS-30BQ060-M3/9AT Configuration de diode : Simple Nombre d'éléments par circuit : 1 Type de boîtier : DO-214AB (SMC) Technologie de diode : Schottky Chute minimale de tension directe : 520mV courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 1.2kA, Vishay

Vishay Diode CMS, 1A, 60V, (20), VS-10BQ060-M3/5BT

★ ★ ★ ★ ☆ 8,1/10

Diode CMS, 1A, 60V, VS-10BQ060-M3/5BT Configuration de diode : Simple Type de boîtier : DO-214AA (SMB) Technologie de diode : Schottky courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 700A, Vishay

Vishay Diode CMS, 1A, 100V, (5), VS-10BQ100-M3/5BT

★ ★ ★ ★ ☆ 8,2/10

Diode CMS, 1A, 100V, VS-10BQ100-M3/5BT Configuration de diode : Simple Type de boîtier : DO-214AA (SMB) Technologie de diode : Schottky courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 780A, Vishay

Vishay Diode CMS, 1.5A, 40V, (7500), VS-10MQ040-M3/5AT

★ ★ ★ ★ ☆ 7,9/10

Diode CMS, 1.5A, 40V, VS-10MQ040-M3/5AT Configuration de diode : Simple Type de boîtier : DO-214AC (SMA) Technologie de diode : Schottky Chute minimale de tension directe : 620mV courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 120A, Vishay

Vishay Diode CMS, 3.5A, 30V, (5), VS-30WQ03FN-M3

★ ★ ★ ★ ☆ 8,1/10

Diode CMS, 3.5A, 30V, VS-30WQ03FN-M3 Configuration de diode : Simple Nombre d'éléments par circuit : 1 Type de boîtier : DPAK (TO-252) Technologie de diode : Schottky courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 535A, Vishay

Vishay Diode CMS, 8A, 1200V, (5), VS-8EWS12STRL-M3

★ ★ ★ ★ ☆ 7,9/10

Diode CMS, 8A, 1200V, VS-8EWS12STRL-M3 Configuration de diode : Simple Type de redressement : Commutation Type de boîtier : DPAK (TO-252) Technologie de diode : Jonction au silicium Chute minimale de tension directe : 1.1V courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 200A, Vishay

Vishay Diode CMS, 1A, 30V, (3200), VS-10BQ030-M3/5BT

★ ★ ★ ★ ☆ 8,8/10

Diode CMS, 1A, 30V, VS-10BQ030-M3/5BT Configuration de diode : Simple Type de boîtier : DO-214AA (SMB) Technologie de diode : Schottky Chute minimale de tension directe : 440mV courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 430A, Vishay

Vishay Diode CMS, 10A, 800V, (5), VS-10ETS08STRL-M3

★ ★ ★ ★ ☆ 7,7/10

Diode CMS, 10A, 800V, VS-10ETS08STRL-M3 Configuration de diode : Simple Type de boîtier : D2PAK (TO-263) Technologie de diode : Jonction au silicium Chute minimale de tension directe : 1.1V courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 200A, Vishay

Vishay Diode CMS, 5.5A, 30V, (75), VS-50WQ03FN-M3

★ ★ ★ ★ ☆ 7,8/10

Diode CMS, 5.5A, 30V, VS-50WQ03FN-M3 Configuration de diode : Simple Nombre d'éléments par circuit : 1 Type de boîtier : DPAK (TO-252) Technologie de diode : Schottky courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 320A, Vishay

Vishay Diode de commutation, 5A, 600V, TO-252AA, 3 + Tab broches (75), VS-5EWL06FN-M3

★ ★ ★ ★ ☆ 7,7/10

Diode de commutation, 5A, 600V, TO-252AA, 3 + Tab broches Configuration de diode : Simple Type de montage : CMS Nombre d'éléments par circuit : 1 Capacitance de diode maximum : 3.5pF Température de fonctionnement minimum : -65 °C Température d'utilisation maximum : +175 °C Longueur : 6.73mm Largeur : 6.22mm

Vishay Diode CMS, 5A, 600V, , 25ns (2000), VS-5EWH06FNTR-M3

★ ★ ★ ★ ☆ 7,9/10

Diode CMS, 5A, 600V, VS-5EWH06FNTR-M3, 25ns Configuration de diode : Simple Nombre d'éléments par circuit : 1 Type de boîtier : DPAK (TO-252) Technologie de diode : Jonction au silicium Chute minimale de tension directe : 1.85V courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 70A, Vishay

Vishay Diode CMS, 1A, 40V, (5), VS-10BQ040-M3/5BT

★ ★ ★ ★ ☆ 8,6/10

Diode CMS, 1A, 40V, VS-10BQ040-M3/5BT Configuration de diode : Simple Type de boîtier : DO-214AA (SMB) Technologie de diode : Schottky courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 430A, Vishay

Vishay Diode CMS, 10A, 1200V, (5), VS-10ETS12S-M3

★ ★ ★ ★ ☆ 8,6/10

Diode CMS, 10A, 1200V, VS-10ETS12S-M3 Configuration de diode : Simple Type de boîtier : D2PAK (TO-263) Technologie de diode : Jonction au silicium Chute minimale de tension directe : 1.1V courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 200A, Vishay

Vishay Diode traversante, 8A, 600V, , 33ns (5), VS-ETX0806-M3

★ ★ ★ ★ ☆ 8,0/10

Diode traversante, 8A, 600V, VS-ETX0806-M3, 33ns Configuration de diode : Simple Nombre d'éléments par circuit : 1 Type de redressement : Recouvrement rapide Type de boîtier : TO-220AC Technologie de diode : Jonction au silicium Chute minimale de tension directe : 3.4V courant direct de surcharge

Vishay Diode traversante, 8A, 600V, , 39ns (5), VS-ETH0806FP-M3

★ ★ ★ ★ ☆ 8,5/10

Diode traversante, 8A, 600V, VS-ETH0806FP-M3, 39ns Configuration de diode : Simple Nombre d'éléments par circuit : 1 Type de redressement : Recouvrement rapide Type de boîtier : TO-220FP Technologie de diode : Jonction au silicium Chute minimale de tension directe : 2.65V courant direct de surcharge

Vishay Diode traversante, 15A, 600V, , 290ns (5), VS-ETL1506-1-M3

★ ★ ★ ★ ☆ 8,6/10

Diode traversante, 15A, 600V, VS-ETL1506-1-M3, 290ns Configuration de diode : Simple Type de boîtier : I2PAK (TO-262) Technologie de diode : Jonction au silicium Chute minimale de tension directe : 1.07V courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 200A, Vishay

Vishay Condensateur céramique monocouche (SLCC), Traversant, 3.9nF, 300V c.a., diélectrique : Y5V (25), VY2392M39Y5VS63V7

★ ★ ★ ★ ☆ 7,9/10

Condensateur céramique monocouche (SLCC), Traversant, 3.9nF, 300V c.a., diélectrique : Y5V Série : VY2 Series Tolérance : ±20% Diamètre : 10mm Profondeur : 5mm Hauteur : 14mm Dimensions : 10 (Dia.) x 5mm Famille du condensateur : Couche unique Facteur de dissipation : 2.5% Température d'utilisation maximum :

Vishay Diode CMS, 12A, 100V, , Cathode commune (5), VS-12CWQ10FN-M3

★ ★ ★ ★ ☆ 8,0/10

Diode CMS, 12A, 100V, VS-12CWQ10FN-M3, Cathode commune Type de boîtier : DPAK (TO-252) Technologie de diode : Schottky Chute minimale de tension directe : 650mV courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 330A, Vishay

Vishay Diode de commutation, 30A, 600 (Peak Repetitive)V, A-220, 2 + Tab broches (5), VS-ETU3006FP-M3

★ ★ ★ ★ ☆ 8,3/10

Diode de commutation, 30A, 600 (Peak Repetitive)V, A-220, 2 + Tab broches Configuration de diode : Simple Type de montage : Traversant Nombre d'éléments par circuit : 1 Capacitance de diode maximum : 20pF Température de fonctionnement minimum : -65 °C Température d'utilisation maximum : +175 °C Longueur :

Vishay Diode CMS, 15A, 600V, , 290ns (5), VS-ETL1506S-M3

★ ★ ★ ★ ☆ 8,3/10

Diode CMS, 15A, 600V, VS-ETL1506S-M3, 290ns Configuration de diode : Simple Type de boîtier : D2PAK (TO-263) Technologie de diode : Jonction au silicium Chute minimale de tension directe : 1.07V courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 200A, Vishay

Vishay Thyristor, , 15mA 6.5A, 800V, D2PAK (TO-263), 3 broches 1.15V (5), VS-10TTS08S-M3

★ ★ ★ ★ ☆ 7,5/10

Thyristor, VS-10TTS08S-M3, 15mA 6.5A, 800V, D2PAK (TO-263), 3 broches 1.15V Courant de surcharge : 140A Type de montage : CMS Tension de déclenchement de Grille maximum : 1V Courant de maintien maximum : 30mA Longueur : 10.67mm Largeur : 9.65mm Hauteur : 4.83mm Dimensions : 10.67 x 9.65 x 4.83mm Température

Vishay Diode CMS, 15A, 40V, (5), VS-12TQ040S-M3

★ ★ ★ ★ ☆ 8,1/10

Diode CMS, 15A, 40V, VS-12TQ040S-M3 Configuration de diode : Simple Type de boîtier : D2PAK (TO-263) Technologie de diode : Schottky courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 990A, Vishay

Vishay Diode CMS, 5A, 600V, , 70ns (2000), VS-5EWL06FNTR-M3

★ ★ ★ ★ ☆ 8,0/10

Diode CMS, 5A, 600V, VS-5EWL06FNTR-M3, 70ns Configuration de diode : Simple Nombre d'éléments par circuit : 1 Type de boîtier : DPAK (TO-252) Technologie de diode : Jonction au silicium Chute minimale de tension directe : 1.2V courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 80A, Vishay

Vishay Diode CMS, 1A, 30V, (3200), VS-MBRS130L-M3/5BT

★ ★ ★ ★ ☆ 8,0/10

Diode CMS, 1A, 30V, VS-MBRS130L-M3/5BT Configuration de diode : Simple Type de boîtier : DO-214AA (SMB) Technologie de diode : Schottky courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 230A, Vishay

Vishay Diode CMS, 3.5A, 60V, (75), VS-30WQ06FN-M3

★ ★ ★ ★ ☆ 7,8/10

Diode CMS, 3.5A, 60V, VS-30WQ06FN-M3 Configuration de diode : Simple Nombre d'éléments par circuit : 1 Type de boîtier : DPAK (TO-252) Technologie de diode : Schottky courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 490A, Vishay

Vishay Thyristor, , 15mA 6.5A, 800V, D2PAK (TO-263), 3 broches 1.15V (1000), VS-10TTS08S-M3

★ ★ ★ ★ ☆ 8,4/10

Thyristor, VS-10TTS08S-M3, 15mA 6.5A, 800V, D2PAK (TO-263), 3 broches 1.15V Courant de surcharge : 140A Type de montage : CMS Tension de déclenchement de Grille maximum : 1V Courant de maintien maximum : 30mA Longueur : 10.67mm Largeur : 9.65mm Hauteur : 4.83mm Dimensions : 10.67 x 9.65 x 4.83mm Température

Vishay Diode CMS, 8A, 600V, , 140ns (5), VS-8EWF06S-M3

★ ★ ★ ★ ☆ 8,7/10

Diode CMS, 8A, 600V, VS-8EWF06S-M3, 140ns Configuration de diode : Simple Type de redressement : Commutation Type de boîtier : DPAK (TO-252) Technologie de diode : Jonction au silicium Chute minimale de tension directe : 1.2V courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 200A, Vishay

Phoenix Contact Cordon, , 4 points RJ45 droit vers Extrémité de câble libre, série VS-IP20-OE-93E/0.5 câble 3m, 1404340

★ ★ ★ ★ ☆ 8,5/10

Cordon, Phoenix Contact, 4 points RJ45 droit vers Extrémité de câble libre, série VS-IP20-OE-93E/0.5 câble 3m Couleur de gaine : Noir Nombre de conducteurs : 7 Tension : ≤ 100 V Forme du câble : Multiconducteur Section : 0,34 mm² AWG : 26 AWG Impédance caractéristique : 100 Ω Matériau du conducteur : Cuivre

Vishay Diode CMS, 2A, 30V, (3200), VS-20BQ030-M3/5BT

★ ★ ★ ★ ☆ 8,4/10

Diode CMS, 2A, 30V, VS-20BQ030-M3/5BT Configuration de diode : Simple Nombre d'éléments par circuit : 1 Type de boîtier : DO-214AA (SMB) Technologie de diode : Schottky courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 350A, Vishay

Vishay Diode CMS, 5.5A, 60V, (5), VS-50WQ06FN-M3

★ ★ ★ ★ ☆ 8,2/10

Diode CMS, 5.5A, 60V, VS-50WQ06FN-M3 Configuration de diode : Simple Nombre d'éléments par circuit : 1 Type de boîtier : DPAK (TO-252) Technologie de diode : Schottky Chute minimale de tension directe : 570mV courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 320A, Vishay

Vishay Diode CMS, 1A, 100V, (3200), VS-10BQ100-M3/5BT

★ ★ ★ ★ ☆ 8,2/10

Diode CMS, 1A, 100V, VS-10BQ100-M3/5BT Configuration de diode : Simple Type de boîtier : DO-214AA (SMB) Technologie de diode : Schottky courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 780A, Vishay

Vishay Diode CMS, 2.1A, 40V, (7500), VS-15MQ040-M3/5AT

★ ★ ★ ★ ☆ 8,2/10

Diode CMS, 2.1A, 40V, VS-15MQ040-M3/5AT Configuration de diode : Simple Type de boîtier : DO-214AC (SMA) Technologie de diode : Schottky Chute minimale de tension directe : 490mV courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 330A, Vishay

Vishay Diode traversante, 30A, 600V, , 35ns (5), VS-ETH3006-M3

★ ★ ★ ★ ☆ 7,8/10

Diode traversante, 30A, 600V, VS-ETH3006-M3, 35ns Configuration de diode : Simple Nombre d'éléments par circuit : 1 Type de redressement : Commutation Type de boîtier : TO-220AC Technologie de diode : Jonction au silicium Chute minimale de tension directe : 2.6V courant direct de surcharge non-répétitif de

Vishay Diode traversante, 8A, 600V, , 250ns (5), VS-ETL0806-M3

★ ★ ★ ★ ☆ 8,7/10

Diode traversante, 8A, 600V, VS-ETL0806-M3, 250ns Configuration de diode : Simple Nombre d'éléments par circuit : 1 Type de boîtier : TO-220AC Technologie de diode : Jonction au silicium Chute minimale de tension directe : 1.1V courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 120A, Vishay

Vishay Diode CMS, 1A, 40V, (20), VS-MBRA140-M3/5AT

★ ★ ★ ★ ☆ 7,8/10

Diode CMS, 1A, 40V, VS-MBRA140-M3/5AT Configuration de diode : Simple Type de boîtier : DO-214AC (SMA) Technologie de diode : Schottky courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 120A, Vishay

Vishay Diode CMS, 8A, 1200V, , 270ns (5), VS-8EWF12STR-M3

★ ★ ★ ★ ☆ 8,6/10

Diode CMS, 8A, 1200V, VS-8EWF12STR-M3, 270ns Configuration de diode : Simple Type de redressement : Commutation Type de boîtier : DPAK (TO-252) Technologie de diode : Jonction au silicium Chute minimale de tension directe : 1.3V courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 200A, Vishay

Vishay Diode CMS, 3.5A, 60V, (10), VS-30WQ06FN-M3

★ ★ ★ ★ ☆ 8,2/10

Diode CMS, 3.5A, 60V, VS-30WQ06FN-M3 Configuration de diode : Simple Nombre d'éléments par circuit : 1 Type de boîtier : DPAK (TO-252) Technologie de diode : Schottky courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 490A, Vishay

Vishay Diode traversante, 15A, 600V, , 290ns (5), VS-ETL1506-M3

★ ★ ★ ★ ☆ 8,3/10

Diode traversante, 15A, 600V, VS-ETL1506-M3, 290ns Configuration de diode : Simple Type de boîtier : TO-220AC Technologie de diode : Jonction au silicium Chute minimale de tension directe : 1.1V courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 200A, Vishay

Vishay Diode CMS, 2.1A, 40V, (10), VS-15MQ040-M3/5AT

★ ★ ★ ★ ☆ 7,9/10

Diode CMS, 2.1A, 40V, VS-15MQ040-M3/5AT Configuration de diode : Simple Type de boîtier : DO-214AC (SMA) Technologie de diode : Schottky Chute minimale de tension directe : 490mV courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 330A, Vishay

Vishay Diode CMS, 2A, 30V, (10), VS-20BQ030-M3/5BT

★ ★ ★ ★ ☆ 8,9/10

Diode CMS, 2A, 30V, VS-20BQ030-M3/5BT Configuration de diode : Simple Nombre d'éléments par circuit : 1 Type de boîtier : DO-214AA (SMB) Technologie de diode : Schottky courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 350A, Vishay

Vishay Diode CMS, 1A, 15V, (3200), VS-10BQ015-M3/5BT

★ ★ ★ ★ ☆ 8,6/10

Diode CMS, 1A, 15V, VS-10BQ015-M3/5BT Configuration de diode : Simple Type de boîtier : DO-214AA (SMB) Technologie de diode : Schottky Chute minimale de tension directe : 440mV courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 140A, Vishay

Vishay Diode CMS, 3A, 40V, (5), VS-MBRD340-M3

★ ★ ★ ★ ☆ 8,3/10

Diode CMS, 3A, 40V, VS-MBRD340-M3 Configuration de diode : Simple Nombre d'éléments par circuit : 1 Type de boîtier : DPAK (TO-252) Technologie de diode : Schottky courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 490A, Vishay

Vishay Diode CMS, 7A, 40V, , Cathode commune (5), VS-6CWQ04FN-M3

★ ★ ★ ★ ☆ 7,9/10

Diode CMS, 7A, 40V, VS-6CWQ04FN-M3, Cathode commune Nombre d'éléments par circuit : 2 Type de boîtier : DPAK (TO-252) Technologie de diode : Schottky courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 500A, Vishay

Vishay Diode CMS, 1A, 40V, (3200), VS-10BQ040-M3/5BT

★ ★ ★ ★ ☆ 7,7/10

Diode CMS, 1A, 40V, VS-10BQ040-M3/5BT Configuration de diode : Simple Type de boîtier : DO-214AA (SMB) Technologie de diode : Schottky courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 430A, Vishay

Vishay Diode CMS, 5A, 600V, , 21ns (5), VS-5EWX06FNTR-M3

★ ★ ★ ★ ☆ 7,9/10

Diode CMS, 5A, 600V, VS-5EWX06FNTR-M3, 21ns Configuration de diode : Simple Type de boîtier : DPAK (TO-252) Technologie de diode : Jonction au silicium Chute minimale de tension directe : 2.9V courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 50A, Vishay

Vishay Diode CMS, 5.5A, 30V, (5), VS-50WQ03FN-M3

★ ★ ★ ★ ☆ 8,5/10

Diode CMS, 5.5A, 30V, VS-50WQ03FN-M3 Configuration de diode : Simple Nombre d'éléments par circuit : 1 Type de boîtier : DPAK (TO-252) Technologie de diode : Schottky courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 320A, Vishay

Vishay Diode CMS, 1A, 40V, (7500), VS-MBRA140-M3/5AT

★ ★ ★ ★ ☆ 7,3/10

Diode CMS, 1A, 40V, VS-MBRA140-M3/5AT Configuration de diode : Simple Type de boîtier : DO-214AC (SMA) Technologie de diode : Schottky courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 120A, Vishay

Vishay Diode CMS, 1A, 60V, (3200), VS-10BQ060-M3/5BT

★ ★ ★ ★ ☆ 8,0/10

Diode CMS, 1A, 60V, VS-10BQ060-M3/5BT Configuration de diode : Simple Type de boîtier : DO-214AA (SMB) Technologie de diode : Schottky courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 700A, Vishay

Vishay Diode CMS, 5A, 600V, , 25ns (5), VS-5EWH06FNTR-M3

★ ★ ★ ★ ☆ 8,2/10

Diode CMS, 5A, 600V, VS-5EWH06FNTR-M3, 25ns Configuration de diode : Simple Nombre d'éléments par circuit : 1 Type de boîtier : DPAK (TO-252) Technologie de diode : Jonction au silicium Chute minimale de tension directe : 1.85V courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 70A, Vishay

Vishay Diode CMS, 1.5A, 40V, (10), VS-10MQ040-M3/5AT

★ ★ ★ ★ ☆ 8,0/10

Diode CMS, 1.5A, 40V, VS-10MQ040-M3/5AT Configuration de diode : Simple Type de boîtier : DO-214AC (SMA) Technologie de diode : Schottky Chute minimale de tension directe : 620mV courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 120A, Vishay

Vishay Thyristor, , 20mA 6.5A, 800V, D2PAK (TO-263), 3 broches 1.15V (10), VS-10TTS08STRL-M3

★ ★ ★ ★ ☆ 7,9/10

Thyristor, VS-10TTS08STRL-M3, 20mA 6.5A, 800V, D2PAK (TO-263), 3 broches 1.15V Courant de surcharge : 110A Type de montage : CMS Tension de déclenchement de Grille maximum : 1.2V Courant de maintien maximum : 30mA Longueur : 10.67mm Largeur : 9.65mm Hauteur : 4.83mm Dimensions : 10.67 x 9.65 x 4.83mm